目前，生產尖端半導體必不可少的EUV（極紫外）光刻設備由荷蘭ASML獨家供應，而臺積電2nm工藝就是利用現有的EUV設備實現晶圓的大規模量產，并保持較高的良率。但隨著推進到更先進的次2nm節點 —— 即1.4nm與1nm（分別代號A14與A10）—— 制造工藝將面臨更多技術瓶頸。理論上，這些問題可以通過采購ASML的最先進High-NA EUV設備來解決，但最新消息稱臺積電選擇的方向并非購買新設備，而是轉向使用光掩模薄膜（Photomask Pellicles）。什么是High-NA光刻機？從早期的深紫外
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臺積電 ASML High-NA EUV 2nm
半導體行業正在重新評估其制造最先進芯片的長期路線圖。高數字光圈(High-NA)光刻技術,曾被視為2 nm以下節點小型化的明確路徑,現在正在與其他選項進行權衡。
盡管在光學領域取得了里程碑式的成就,但高NA所需的重大挑戰和巨大的資本投資刺激了互補模式技術的平行發展。事實上,這些技術作為競爭和實用的替代品正在獲得牽引力。這不是對光學進步的拒絕。這是一個多方面工具包的務實擁抱,其中材料科學,物理學和創新過程的進步融合在一起,以克服強大的障礙。High-N
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High-NA 2納米
據SK海力士官方消息，2025年9月3日，該公司在韓國利川M16工廠成功引進了業界首款量產型高數值孔徑極紫外光刻機（High-NA EUV），并舉行了設備入廠慶祝儀式。此次引進的設備為荷蘭ASML公司開發的TWINSCAN EXE:5200B，是全球首款量產型High-NA EUV設備。相比現有EUV設備（NA 0.33），其光學性能（NA 0.55）提升了40%，能夠繪制精密度高達1.7倍的電路圖案，同時將芯片集成度提升2.9倍。這一技術突破將顯著推動半導體制造向更微細化和高集成度方向發展。SK海力士自
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SK海力士 High-NA EUV設備
據外媒報道，近期，一位匿名英特爾高層提出一種頗具爭議的觀點：未來晶體管設計，例如GAAFET和CFET架構，可能會降低芯片制造對先進光刻設備的依賴，尤其是對EUV光刻機的需求。這一觀點無疑對當前芯片制造技術的核心模式提出了挑戰。目前，ASML的極紫外光（EUV）及高數值孔徑（high-NA）EUV光刻機在先進制程中扮演關鍵角色，通過曝光步驟將電路設計轉印至晶圓，隨后通過沉積和蝕刻工藝形成晶體管結構。然而，該英特爾高層認為，隨著GAAFET和CFET等3D晶體管結構的發展，芯片制造將更依賴蝕刻技術，而非單純
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半導體 high-NA EUV
據外媒報道，ASML正與蔡司（Carl Zeiss）合作，啟動研發分辨率可達5納米的Hyper NA光刻機設備。ASML技術執行副總裁Jos Benschop表示，這種新型光刻機將滿足2035年及之后的芯片制造需求。目前，ASML剛剛開始出貨最先進的光刻機，其單次曝光分辨率可達8納米，相比舊款設備需要多次曝光才能實現類似效果。Benschop還提到，ASML正與蔡司進行設計研究，目標是開發數值孔徑（NA）達到0.7或更高的系統。數值孔徑是衡量光學系統聚焦能力的重要指標，直接影響光刻分辨率。NA越高，光波長
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ASML 5納米 Hyper NA 光刻機
全球最大的合同芯片制造商臺積電制造股份有限公司 （2330.TW） 仍在評估何時將 ASML 的尖端高數值孔徑 （NA） 機器用于其未來的工藝節點，一位高管周二表示。芯片制造商正在權衡這些價值近 4 億美元的機器的速度和精度優勢何時會超過芯片制造廠中最昂貴的設備幾乎翻倍的價格標簽。當被問及臺積電是否計劃將這臺機器用于其即將推出的 A14 和未來節點的增強版本時，Kevin Zhang 表示，該公司尚未找到令人信服的理由。“A14，我所說的增強，在不使用 High-NA 的情況下非常可觀。因此，我們的技術團
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臺積電 ASML “High-NA”
2nm GAA 工藝進展被傳順利，但三星的目標是通過推出自己的 1nm 工藝來突破芯片開發的技術限制。一份新報告指出，該公司已經成立了一個團隊來啟動這一工藝。然而，由于量產目標定于 2029 年，我們可能還需要一段時間才能看到這種光刻技術的應用。1nm 晶圓的開發需要“高 NA EUV 曝光設備”，但目前尚不清楚三星是否已訂購這些機器。另一方面，臺積電也正在推出
2 納米以下芯片，據報道，這家臺灣半導體巨頭已于 4 月初開始接受 2 納米晶圓訂單。至于三星，在其 2 納米 GAA
技術的試產過程中
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三星 1nm 芯片 臺積電 NA EUV
據路透社報道，半導體大廠英特爾近日表示，半導體設備大廠阿斯麥（ASML）的首批兩臺尖端高數值孔徑（High NA）光刻機已在其工廠正式投入生產，且早期數據顯示，這些設備的性能比之前的機型更可靠。報道稱，英特爾資深首席工程師Steve Carson在加利福尼亞州圣何塞舉行的一次會議上指出，英特爾已經利用ASML高數值孔徑光刻機在一個季度內生產了3萬片晶圓，這些晶圓是足以生產數千個計算芯片的大型硅片。2024年，英特爾成為全球第一家接收這些先進設備的芯片制造商，與之前的ASML設備相比，這些機器可望制造出更小
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英特爾 ASML High-NA EUV
據路透社2月24日報道，英特爾資深首席工程師Steve Carson在美國在加利福尼亞州圣何塞舉行的一場會議上表示，英特爾已經安裝的兩臺ASML High NA EUV光刻機正在其晶圓廠生產，早期數據表明它們的可靠性大約是上一代光刻機的兩倍。Steve
Carson指出，新的High NA
EUV光刻機能以更少曝光次數完成與早期設備相同的工作，從而節省時間和成本。英特爾工廠的早期結果顯示，High NA EUV
機器只需要一次曝光和“個位數”的處理步驟，即可完成早期機器需要三次曝光和約40個處
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英特爾 High NA EUV 光刻機 晶圓
英特爾24日表示，ASML首批的兩臺先進曝光機已投產，早期數據顯示比之前機型更可靠。英特爾資深首席工程師 Steve Carson 指出，英特爾用ASML 高數值孔徑（High NA）曝光機一季內生產 3 萬片晶圓，即生產數千顆運算芯片的大型硅片。英特爾去年成為全球第一間接收這些設備的芯片制造商，與之前ASML設備相比，這些機器可望制造出更小、更快的運算芯片。 此舉是英特爾策略轉變，因英特爾采用上代極紫外光（EUV）曝光機時落后競爭對手。英特爾花了七年才將之前機器全面投產，導致領先優勢被臺積電超越。 生產
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英特爾 High-NA EUV
近日，全球領先的物聯網整體解決方案供應商移遠通信宣布，其旗下符合3GPP
R17標準的新一代5G-A模組RG650V-NA成功通過了北美兩家重要運營商認證。憑借高速度、大容量、低延遲、高可靠等優勢，該模組可滿足CPE、家庭/企業網關、移動熱點、高清視頻直播等FWA應用對高速、穩定5G網絡的需求。移遠通信高性能5G-A模組RG650V-NA通過北美兩大重要運營商認證此前，RG650V系列已通過了北美FCC、PTCRB以及GCF全球認證，此次再獲北美兩項認證，表明該模組已全面取得北美運營商的認可，標志著搭
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移遠通信 5G-A模組 RG650V-NA
此次合作旨在利用安霸先進的Oculii人工智能4D成像雷達技術，提高路特斯電動汽車的安全性Source:Getty Images在9月24日發布的一篇新聞稿中，安霸宣布將與路特斯科技公司合作，展示了其Oculii人工智能4D成像雷達技術的安全性。該技術現已集成至2023款和2024款路特斯Eletre電動超跑SUV以及2024款路特斯Emeya純電超跑GT車型中。此次合作旨在通過利用超過300米的超長探測距離，提升包括高速公路和城市自主領航（NOA）及自動緊急制動（AEB）等半自動駕駛系統的能力。該系統在
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安霸 路特斯 4D成像雷達 Hyper SUV 2級+
比利時微電子研究中心（imec），在荷蘭費爾德霍溫與艾司摩爾（ASML）合作建立的高數值孔徑極紫外光（high-NA EUV）微影實驗室中，利用數值孔徑0.55的極紫外光曝光機，發表了曝光后的圖形化組件結構。在單次曝光后，9納米和5納米（間距19納米）的隨機邏輯結構、中心間距為30納米的隨機通孔、間距為22納米的二維特征，以及間距為32納米的動態隨機存取內存（DRAM）專用布局全部成功成形，采用的是由imec與其先進圖形化研究計劃伙伴所優化的材料和基線制程。透過這些研究成果，imec證實該微影技術的生態系
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imec High-NA EUV DRAM
8月6日消息，在近日的財報電話會議上，Intel CEO宣布已成功接收全球第二臺價值3.83億美元的High NA EUV（極紫外光刻機）。High NA EUV光刻機是目前世界上最先進的芯片制造設備之一，其分辨率達到8納米，能夠顯著提升芯片的晶體管密度和性能，是實現2nm以下先進制程大規模量產的必備武器。帕特·基辛格表示，第二臺High NA設備即將進入Intel位于美國俄勒岡州的晶圓廠，預計將支持公司新一代更強大的計算機芯片的生產。此前，Intel已于去年12月接收了全球首臺High NA EUV光刻
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Intel High NA EUV 光刻機 晶圓 8納米
英特爾正接收ASML第二臺耗資3.5億歐元（約3.83億美元）的新High NA EUV設備。根據英特爾8/1財報電話會議紀錄，CEO Pat Gelsinger表示，英特爾12月開始接收第一臺大型設備，安裝時間需要數月，預計可帶來新一代更強大的電腦英文。Gelsinger在電話中指出，第二臺High NA設備即將進入在奧勒岡州的廠房。由于英特爾財報會議后股價表現不佳，因此這番話并未引起注意。ASML高階主管7月曾表示，該公司已開始出貨第二臺High NA設備給一位未具名客戶，今年只記錄第一臺的收入。不過
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ASML High-NA 英特爾 光刻機
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